No mês de Fevereiro do ano passado, a Qualcomm anunciou o seu primeiro modem LTE Advanced Pro, o X16 LTE, que suporta velocidades de downlink até 1 Gbps. Após um ano, a Qualcomm apresenta um modem LTE de segunda geração, o Snapdragon X20 LTE, juntamente com alguns novos componentes RF front-end.
O modem Snapdragon X20 LTE irá ser produzido pelo processo LPE de 10 nm da Samsung, oferecendo assim algumas melhorias importantes em comparação ao X16 LTE que vem integrado no Snapdragon 835.
A primeira vantagem do X20, é que ganhou o suporte para 5x agregações de portadora (5x20MHz), permitindo um uso mais flexível do espectro licenciado e não licenciado disponível com mais de 1000 combinações de bandas de agregação de portadoras. Outra vantagem foi o aumento do número de fluxos espaciais utilizáveis de 10 para 12 executando MIMO 4×4 em três portadoras agregadas. Estas melhorias permitem que o X20 tenha suporte para equipamentos de categoria 18 em downlink, podendo chegar assim a velocidades de 1,2 Gbps. A largura de banda de uplink permanece a mesma, no entanto, suporta velocidades até 150 Mbps com agregação de portadora 2x20MHz e modulação 64-QAM. Para além do desempenho, a Qualcomm tentou melhorar a vida aos operadores que com este modem podem implementar o serviço Gigabit LTE com apenas 10 MHz de largura de banda.
Tanto o modem Snapdragon X20 como o X16 LTE compartilham vários recursos, incluindo LTE Broadcast e a qualidade de voz Ultra HD usando o codec EVS. Todavia o X20 traz um novo recurso, o Dual SIM Dual VoLTE (DSDV), uma tecnologia que ajudará as operadoras a abandonar as redes GSM. Com o DSDV, o segundo cartão SIM já não se limita a funções de voz 2G ou 3G, pois a voz pode ser transferida para LTE. Também permite ao utilizador selecionar o SIM para o serviço de dados LTE.
Novos componentes RF Front-End (RFFE)
A Qualcomm também adicionou vários novos produtos ao seu portfólio RF360, incluindo vários novos módulos de amplificação de potência e sua solução TruSignal de última geração. Os novos componentes prometem reduzir o consumo de energia e melhorar a qualidade do sinal, levando a uma melhor duração da bateria e um desempenho celular mais consistente.
Os quatro novos módulos multi-potência de amplificação de potência (MMPA) – QPA5460, QPA5461, QPA4360 e QPA4361 – são os primeiros da Qualcomm a usar GaAs em oposição ao CMOS, o que traz certas vantagens ao trabalhar com frequências mais altas. A principal diferença entre os modelos QPA54xx e os modelos QPA43xx é que o primeiro fornece uma melhor eficiência de energia para redes LTE TDD, enquanto o último é optimizado para o fazer o tracking da potência média. Todos os quatro módulos MMPA combinam interruptores com amplificadores de potência de banda baixa, média e alta.
A Qualcomm também lançou o Módulo Front-End D5328 (FEMiD), que combina switches de transferência de camada, filtros, duplexers e um quadplexer em um único módulo. E o Módulo de Recepção de Diversidade D5285 (DRX).
A mais recente solução de adaptação de antena TruSignal da Qualcomm, combina o sintonizador de impedância QAT3550, o sintonizador de abertura QAT3514 e o comutador de diversidade de antena QAT3522, e é a primeira a suportar a agregação de portadoras. Os componentes trabalham em conjunto com o modem, para fornecerem um processamento de sinal avançado, e para garantir a melhor qualidade de sinal. O QAT3550 de terceira geração é 30% menor do que o sintonizador QFE2550 de segunda geração e todos os componentes QAT35xx podem ser usados em conjunto com o Snapdragon 835 SoC.
