A miniaturização dos transístores é há diversos anos a grande corrida nos fabricantes de semicondutores no mundo mobile, com os chips a darem anualmente saltos enormes. No entanto, a litografia de 7nm é um desafio a todas as técnicas de fabrico e a dificuldade extrema pode encontrar-se no limite das capacidades das técnicas actuais. A Samsung deu, no entanto, outro salto em frente, com a fabricação dos primeiros chips de 7nm com litografia de ultravioleta extrema.
Os actuais chips de 7nm são fabricados com um processo completamente diferente, incluindo o Kirin 980 da Huawei, o primeiro do seu género. A HiSilicon recorre no seu fabrico a uma litografia por imersão e laser de fluoreto de argão (árgon ou argónio) que tem vindo a ser refinada ao longo dos últimos anos, mas se encontra no seu limite.
Por comparação, a litografia por ultravioleta extrema (EUV) é mais rápida e eficiente, com melhorias de rendimento até 20% e menos de 50% do consumo energético. A sua eficácia advém do comprimento de onda ser de meros 13,5mm, face aos 193mm do comprimento de onda usado nos chips de 10nm, o que permite não só melhorar os desenhos de 7nm, como pensar já em litografias mais reduzidas, graças à maior exactidão deste comprimento de onda que permitirá chips mais pequenos e mais transístores por área.
O que isto significa para os chips em 2019 ainda não é claro. O futuro Snapdragon 8150 ainda não se encontra oficializado, nem confirmado qual o método de fabrico a que recorrerá. É pouco provável que o Galaxy S11 beneficie desta tecnologia já em 2019, mas caso a Samsung e a Qualcomm conseguissem chegar ao mercado com a litografia significaria que os futuros Exynos e Snapdragon teriam uma relação potência-eficiência ainda superior à dos actuais chips da Apple e Huawei.
