Lembram-se quando os smartphones tinham 4GB de armazenamento interno? Não foi assim há tanto tempo. Se voltássemos a 2015 veríamos inúmeros smartphones com este armazenamento reduzido, e os flagships tinham por regra 32GB de armazenamento interno como mínimo. Mas os avanços tecnológicos e o complexificar das tarefas assignadas aos smartphones fez saltar a necessidade de armazenamento mais extenso. Hoje em dia, 128GB é o valor aceitável para os melhores smartphones. Amanhã serão 512GB.
A Samsung anunciou assim ontem que já está a fabricar as futuras memórias de 512GB que chegarão aos smartphones de 2018, quiçá mesmo os seus futuros S9 e Note 9.
As novas memórias eUFS V-NAND passam de 48 para 64 camadas, em muito aumentando a densidade de dados possíveis num espaço limitado, mas incluem igualmente um chip controlador, que permitirá acelerar os processos de escrita e recuperação de dados. De facto, a Samsung diz que todos os parâmetros foram melhorados, e poderemos assistir a velocidades de leitura e escrita de 860Mbps e 255Mbps, respectivamente.
Podemos esperar que, nos smartphones mais capazes, estas novas memórias anulem por completo a necessidade de dispormos de cartões microSD, pelo menos durante algum tempo. De facto, as memórias eUFS encontram-se tão distantes de um cartão microSD ao ponto de serem incomparáveis. O diferencial de performance é de cerca de 400X, com vantagem para as eUFS, capazes de 42,000 IOPS face aos 100 IOPS de um cartão típico.
O que isto significa é que teremos dispositivos capazes de gerir muito melhor os seus dados, com downloads simultâneos em várias apps sem qualquer penalização visível no desempenho do equipamento.
A Samsung quer chegar rapidamente com estas novas memórias ao mercado e em quantidades suficientes para responder à expectável procura por armazenamento de elevada performance nos smartphones de amanhã.
